電腦內(nèi)存知識介紹
電腦內(nèi)存知識介紹大全
關(guān)于內(nèi)存，不少人都知道它是電腦里面一個重要的部件，但是對于再深入的了解，恐怕就沒有了吧。這里給大家分享一些關(guān)于電腦內(nèi)存知識介紹，希望對大家能有所幫助。
你知道最新的RAM技術(shù)詞匯嗎?
介紹一些最新的RAM技術(shù)詞匯
CDRAM-Cached DRAM——高速緩存存儲器
CVRAM-Cached VRAM——高速緩存視頻存儲器
DRAM-Dynamic RAM——動態(tài)存儲器
EDRAM-Enhanced DRAM——增強型動態(tài)存儲器
EDO RAM-Extended Date Out RAM——外擴充數(shù)據(jù)模式存儲器
EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外擴充數(shù)據(jù)模式靜態(tài)存儲器
EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外擴充數(shù)據(jù)模式視頻存儲器
FPM-Fast Page Mode——快速頁模式
FRAM-Ferroelectric RAM——鐵電體存儲器
SDRAM-Synchronous DRAM——同步動態(tài)存儲器
SRAM-Static RAM——靜態(tài)存儲器
SVRAM-Synchronous VRAM——同步視頻存儲器
3D RAM-3 DIMESION RAM——3維視頻處理器專用存儲器
VRAM-Video RAM——視頻存儲器
WRAM-Windows RAM——視頻存儲器圖形處理能力優(yōu)于VRAM
MDRAM-MultiBank DRAM——多槽動態(tài)存儲器
SGRAM-Signal RAM——單口存儲器
存儲器有哪些主要技術(shù)指標
存儲器是具有“記憶”功能的設備，它用具有兩種穩(wěn)定狀態(tài)的物理器件來表示二進制數(shù)碼 “0”和“1”，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導體觸發(fā)器、 MOS電路或電容器等。 位bit是二進制數(shù)的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數(shù)稱為一 個字節(jié)Byte，可以由一個字節(jié)或若干個字節(jié)組成一個字Word在PC機中一般認為1個或 2個字節(jié)組成一個字。若干個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個 存儲體MemoryBank。 為了區(qū)分存儲體內(nèi)的存儲單元，必須將它們逐一進行編號，稱為地址。地址與存儲單元之間 一一對應，且是存儲單元的唯一標志。應注意存儲單元的地址和它里面存放的內(nèi)容完全是兩 回事。
根據(jù)存儲器在計算機中處于不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機內(nèi)部，直接 與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或內(nèi)存儲器。在執(zhí)行期間，程序的數(shù)據(jù)放在主存儲器 內(nèi)。各個存儲單元的內(nèi)容可通過指令隨機讀寫訪問的存儲器稱為隨機存取存儲器RAM。另 一種存儲器叫只讀存儲器ROM，里面存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù)，僅能隨機讀出。RAM 和ROM共同分享主存儲器的地址空間。
RAM中存取的數(shù)據(jù)掉電后就會丟失，而掉電后ROM中 的數(shù)據(jù)可保持不變。 因為結(jié)構(gòu)、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而采用了大容量的輔助存儲 器或稱外存儲器，如磁盤、光盤等。 存儲器的特性由它的技術(shù)參數(shù)來描述。
存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。一般主存儲器內(nèi)存容量在幾 十K到幾十M字節(jié)左右;輔助存儲器外存在幾百K到幾千M字節(jié)。
存取周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指將信息在存儲單元與存儲寄存器 MDR之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩(wěn)定在MDR的輸出端為止的時間 間隔，稱為取數(shù)時間TA;兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導 體存儲器的存取周期一般為60ns-100ns。
存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩 次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正確工作能力越強。
性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內(nèi)容。性能價格比是一個 綜合性指標，對于不同的存儲器有不同的要求。對于外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存 儲器則要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統(tǒng)很重要的 指標。
SDARM能成為下一代內(nèi)存的主流嗎
快頁模式FPMDRAM的黃金時代已經(jīng)過去。隨著高效內(nèi)存集成電路的出現(xiàn)和為優(yōu)化Pentium 芯片運行效能而設計的INTEL HX、VX等核心邏輯芯片組的支持，人們越來越傾向于采用擴 展數(shù)據(jù)輸出EDODRAM。 EDO DRAM采用一種特殊的內(nèi)存讀出電路控制邏輯，在讀寫一個地址單元時，同時啟動下一 個連續(xù)地址單元的讀寫周期。從而節(jié)省了重選地址的時間，使存儲總線的速率提高到 40MHz。也就是說，與快頁內(nèi)存相比，內(nèi)存性能提高了將近15%～30%，而其制造成本與快頁 內(nèi)存相近。
但是EDO內(nèi)存也只能輝煌一時，其稱霸市場的時間將極為短暫。不久以后市場上主流CPU的 主頻將高達200MHz以上。為優(yōu)化處理器運行效能，總線時鐘頻率至少要達到66MHz以上。 多媒體應用程序以及Windows 95和Windows NT操作系統(tǒng)對內(nèi)存的要求也越來越高，為緩解 瓶頸，只有采用新的內(nèi)存結(jié)構(gòu)，以支持高速總線時鐘頻率，而不至于插入指令等待周期。
這樣，為適應下一代主流CPU的需要，在理論上速度可與CPU頻率同步，與CPU共享一個時鐘 周期的同步DRAMSYNCHRONOUS DRAMS即SDRAM注意和用作CACHE的SRAM區(qū)別，SRAM的全 寫是Static RAM即靜態(tài)RAM，速度雖快，但成本高，不適合做主存應運而生，與其它內(nèi)存 結(jié)構(gòu)相比，性能\價格比最高，勢必將成為內(nèi)存發(fā)展的主流。
SDRAM基于雙存儲體結(jié)構(gòu)，內(nèi)含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數(shù)據(jù) 的同時，另一個已準備好讀寫數(shù)據(jù)。通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提 高。去年推出的SDRAM最高速度可達100MHz，與中檔Pentium同步，存儲時間高達5～ 8ns，可將Pentium系統(tǒng)性能提高140%，與Pentium 100、133、166等每一檔次只能提高性 能百分之幾十的CPU相比，換用SDRAM似乎是更明智的升級策略。
在去年初許多DRAM生產(chǎn)廠家已開始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM內(nèi)存條，但其成本 較高?，F(xiàn)在每一個內(nèi)存生產(chǎn)廠家都在擴建SDRAM生產(chǎn)線。預計到今年底和1998年初，隨著 64M SDRAM內(nèi)存條的大量上市，SDRAM將占據(jù)主導地位。其價格也將大幅下降。
但是SDRAM的發(fā)展仍有許多困難要加以克服，其中之一便是主板核心邏輯芯片組的限制。VX 芯片組已開始支持168線SDRAM，但一般VX主板只有一條168線內(nèi)存槽，最多可上32M SDRAM，而簡潔高效的HX主板則不支持SDRAM。預計下一代Pentium主板芯片組TX將更好 的支持SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主板芯片組TX將更好的支持SDRAM。
SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡專用內(nèi)存方面也有廣泛應用。對顯示卡來說，數(shù)據(jù)帶寬越 寬，同時處理的數(shù)據(jù)就越多，顯示的信息就越多，顯示質(zhì)量也就越高。以前用一種可同時進 行讀寫的雙端口視頻內(nèi)存VRAM來提高帶寬，但這種內(nèi)存成本高，應用受很大限制。因此在 一般顯示卡上，廉價的DRAM和高效的EDO DRAM應用很廣。但隨著64位顯示卡的上市，帶 寬已擴大到EDO DRAM所能達到的帶寬的極限，要達到更高的1600×1200的分辨率，而又盡 量降低成本，就只能采用頻率達66MHz、高帶寬的SDRAM了。
SDRAM也將應用于共享內(nèi)存結(jié)構(gòu)UMA——一種集成主存和顯示內(nèi)存的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)在很 大程度上降低了系統(tǒng)成本，因為許多高性能顯示卡價格高昂，就是因為其專用顯示內(nèi)存成本 極高，而UMA技術(shù)將利用主存作顯示內(nèi)存，不再需要增加專門顯示內(nèi)存，因而降低了成本。
什么是Flash Memory 存儲器
介紹關(guān)于閃速存儲器有關(guān)知識 近年來，發(fā)展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器Flash Memory。它的主要特點是在不 加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質(zhì)而言，F(xiàn)lash Memory屬于EEPROM電擦除可 編程只讀存儲器類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重寫， 功耗很小。目前其集成度已達4MB，同時價格也有所下降。 由于Flash Memory的獨特優(yōu)點，如在一些較新的主板上采用Flash ROM BIOS，會使得BIOS 升級非常方便。
Flash Memory可用作固態(tài)大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬盤。硬盤雖 有容量大和價格低的優(yōu)點，但它是機電設備，有機械磨損，可靠性及耐用性相對較差，抗沖 擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬盤的手段。由于Flash Memory集 成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬盤已成為可能。
目前研制的Flash Memory都符合PCMCIA標準，可以十分方便地用于各種便攜式計算機中以 取代磁盤。當前有兩種類型的PCMCIA卡，一種稱為Flash存儲器卡，此卡中只有Flash Memory芯片組成的存儲體，在使用時還需要專門的軟件進行管理。另一種稱為Flash驅(qū)動 卡，此卡中除Flash芯片外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE標 準兼容，可在DOS下象硬盤一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固態(tài)盤。 Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用于要求可靠性 高，重量輕，但容量不大的便攜式系統(tǒng)中。在586微機中已把BIOS系統(tǒng)駐留在Flash存儲 器中。
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